Nano Imprinting Machine（奈米壓印機）
奈米壓印光刻(NIL)以遠低於光刻技術的成本製作奈米級表面結構。採用精密設計的模具與伺服控制的均勻壓力,實現亞100nm圖形轉印。同時支援UV固化與熱壓印兩種模式。
奈米壓印光刻(NIL)以遠低於光刻技術的成本製作奈米級表面結構。採用精密設計的模具與伺服控制的均勻壓力,實現亞100nm圖形轉印。同時支援UV固化與熱壓印兩種模式。
特徵尺寸低於100nm——可實現nano-LED間距控制、抗反射結構、衍射光學元件以及半導體器件特徵加工,成本遠低於EUV技術。
UV固化:常溫作業,加工週期短。熱壓印:最高200°C,基板相容性更廣。可透過加工配方選擇工藝模式。
在整個基板面積上實現主動均勻施力——尤其對模具邊緣附近的無缺陷圖形轉印至關重要。
兩種機型變體:ANT-4 (UV光固化) 與 ANT-6H (UV + 熱壓印混合)。可提供定製設計與製造。
PATENTS
壓印輥自動調平系統 (KR 10-2015-0072634) · 壓印裝置 (KR 10-1408741) · KR 0522040 / US 7,140,866 B2 · KR 0585951 / US 7,202,935 B2 · PCT/KR2006/002230
| ANT-4 — UV 光固化奈米壓印 | |
| 固化方式 | UV (紫外光) |
|---|---|
| 壓模 | 石英 · Si · PFPE · PDMS · PC |
| 晶圓尺寸 | 1 ~ 4 inch |
| 壓印壓力 | ≤ 2 bar · 常溫 |
| 壓印模式 | 單層 / 單步 |
| 壓印頭 | 晶片級多頭 · 多重灌夾 / 空氣吸附 |
| XYZ 工作臺 | 行程 250 × 120 × 25 mm · Z 滑動單元 |
| UV 系統 | 40 mW/cm² (2 kW) |
| 防振 | 截止頻率 1 ~ 1.5 Hz |
| 控制器 | UMAC-2 |
| ANT-6H — 熱壓印 & UV 混合奈米壓印 | |
| 固化方式 | UV · 熱壓印 · UV+熱壓印 混合 |
| 壓模 | 石英 · Si · Ni |
| 晶圓尺寸 | 1 ~ 6 inch |
| 壓印模式 | 多層 / 多步 |
| 專利 | KR 0585951 · US 7,202,935 B2 · PCT/KR2006/002230 (申請中: 0043670) |
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